在APS，我們致力于為客戶提供符合國際質量的產品。今天，APS和大多數半導體跨國公司一樣，仍然參照以下標準來進行功率器件的鑒定。
JESD47《集成電路的壓力測試驅動資格》
AEC-Q101《汽車應用中分立半導體的基于失效機制的壓力測試資格》
此外，APS還將參考其他新興、合適的標準和方法，以保持我們與市場競爭者的同步。
JEP148基于故障風險和機會評估的物理學的半導體器件可靠性鑒定
JESD94使用基于知識的測試的特定應用鑒定
JC-70委員會是為WBG（GaN和SiC）測試標準化任務組而成立的。
APS利用符合國際標準的檢測設備來支持我們的可靠性驗證計劃。
驗證規范：完全按照國際行業標準，如JESD47及AEC-Q101制定驗證計劃；標準媲美國際大品牌
驗證能力：借助香港科學園和本地大學為主導的國際級可靠性和失效分析實驗室，配合產品驗證和分析需求
失效分析： 嚴謹的失效分析報告及閉路反饋確保每個失效狀態有效處理；相關導入DFMEA
數據導向：強調驗證數據之統計分析，測試前后數據及Cpk 之變化，成因與改善行動之跟進行動；并不會滿足於0/1準則
延伸壽命測試： 除了滿足國際標準， 亦會追求延伸壽命測試以發現產品潛在的凡風險， 讓產品變得更可靠耐用
由于SiC比Si具有更優越的內在材料特性，因此可以證明以下性能。
更長的壽命（由于可以承受更高的電場）。
更高的溫度耐久性
可靠性
結合適當的封裝和材料技術，SiC器件可以在一些可靠性測試中表現出其優越的可靠性能，如：
| Reliability Tests | SiC devices | Si devices |
|---|---|---|
HTRB/HTGB | @ Tjmax 175°C or up to 200°C | @Tjmax 125°C or 150°C |
TCT | @ -55°C to +175°C | @ -55°C to +150°C |
Ruggedness(UIS) | Typ. 200-400mJ | Typ. <100mJ |
IOL | ΔTj ≥ 125°C | ΔTj ≥ 100°C |