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              碳化硅MOSFET

              碳化硅 MOSFET

              APS自主研發的碳化硅MOSFET 具備高開關頻率,低導通電阻,優良高溫特性,與耐高壓等優勢,有著替代現有IGBT和超結MOSFET的巨大潛力。其應用在更高頻率的電源設計里,能夠縮小系統儲能器件的體積,例如大電感,大變壓器及大容量電容等,從而降低系統成本。


              APS推出的第二代平面結構MOSFET促進了光伏風電,新能源汽車車,不間斷電源,服務器電源等應用往高效與高可性靠發展的趨勢。已有的封裝類型包括:TO247-3、TO247-4等。


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              2022年11月15日-17日飛锃半導體受邀參加2022慕尼黑華南電子展,本次展會飛锃半導體攜全系列產品精彩亮相,并在國際第三代功率半導體與碳中和時代創新論壇上做了關于SiC在充電樁領域的應用及發展趨...

              香港應科院成立“微電子技術聯盟”,飛锃半導體成為主要成員

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              近日,由香港應科院主導成立的“微電子技術聯盟”,獲得香港學界及中國香港業界多家機構的支持,包括香港工業總會、創能動力科技有限公司、ASMPT香港、瑞聲科技、萬維數碼智能有限公司、大能創智有限公司、香港...

              APS與應科院、ASM太平洋科技合作開發應用于新能源汽車的碳化硅(SiC)電源模塊

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              APS與應科院、ASM太平洋科技宣布,攜手合作開發首個應用于新能源汽車的碳化硅(SiC)電源模塊。...

              飛锃半導體受邀參加2021第十一屆亞太國際電源產品及技術展覽會

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              2021年11月18日-20日飛锃半導體受邀參加2021第十一屆亞太國際電源產品及技術展覽會,本次展會飛锃半導體攜全系列實體展板閃亮登場,受到各方關注。作為第三代半導體材料,碳化硅(SiC)與硅(Si...

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