技術的進步推動了硅半導體達到其理論材料極限。 目前，基于硅的功率器件無法滿足功率電子在各種工業/商業應用中對功率器件的不斷增長的需求。 這些包括更高的阻斷電壓，開關頻率，效率和可靠性。 碳化硅（SiC），也稱為寬禁帶材料，是替代硅的理想選擇 

使用碳化硅（SiC）技術制造的功率器件可以受益于其優越的性能。 這些特性使碳化硅器件可以在高于200^oC的溫度下運行，與基于硅的器件相比，碳化硅器件的功率密度是硅器件的2倍，但功率損耗僅為硅器件的50％。 使用碳化硅器件的電子系統需要較小的系統尺寸，較低的系統成本和在高溫環境下有更高的可靠性。

碳化硅（SiC）在禁帶寬度，擊穿電場和導熱性方面明顯優于硅和砷化硅。